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PECVD等離子體增強氣相沉積
簡要描述:

PECVD等離子體增強氣相沉積是一款1200℃等離子增強混合物理化學氣相沉積(HPCVD)雙溫區(qū)回轉爐系統(tǒng)源(帶自動匹配功能)、上游原位蒸發(fā)舟、4通道質子流量計控制系統(tǒng)及性能優(yōu)異的真空泵組成。此于無機復合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆(如:制備鋰離子電池陰極粉末的導電涂層等)。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-07-07
  • 訪  問  量:2691

詳細介紹

    PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括:

    1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進行,因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應,降低沉積溫度的需求。

    2、高沉積速率:等離子體增強了氣體反應速率,從而提高了薄膜沉積速率。

    3、良好的膜質量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,適用于需要高質量薄膜的應用。

    4、適應性強:可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。

    5、控制性好:通過調整等離子體的參數(shù)(如功率、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質。

    加熱爐參數(shù)

    ?最高溫度:1200ºC(<30min),連續(xù)工作溫度:1100℃;

    ?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng);

    ?輸入功率:208-240V,單相,最大功率:2.5KW;

    ?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗;

    ?回轉爐旋轉速度:2-10rpm;

    ?爐體開啟式設計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。

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